Mitsubishi Electric baut neue Wafer-Fabrik für SiC-Power-Semiconductor-Geschäft aus
Zuletzt aktualisiert am 9. Mai 2023 von Lars Weidmann
Mitsubishi Electric kündigte heute an, seine Investitionspläne im Zeitraum bis März 2026 auf etwa 260 Milliarden Yen zu verdoppeln, um eine neue Wafer-Fabrik zur Erhöhung der Produktion von Siliziumkarbid (SiC) Power-Semiconductors zu errichten. Ein Großteil der Investitionen in Höhe von etwa 100 Milliarden Yen wird für den Bau einer neuen 8-Zoll-SiC-Wafer-Fabrik und die Verbesserung der damit verbundenen Produktionsanlagen verwendet werden. Die neue Fabrik, die ein Werk in der Shisui-Region der Präfektur Kumamoto einbezieht, wird große 8-Zoll-SiC-Wafer produzieren und eine saubere Umgebung mit modernster Energieeffizienz und hoher Automatisierung bieten.
Die erweiterten Produktionskapazitäten sollen der steigenden Nachfrage nach SiC-Power-Semiconductors für Elektrofahrzeuge sowie neuen Anwendungen gerecht werden, die beispielsweise einen geringen Energieverlust, einen Betrieb bei hohen Temperaturen oder eine schnelle Schaltgeschwindigkeit erfordern. Dies wird dazu beitragen, dass Mitsubishi Electric dem globalen Trend zur grünen Transformation in Richtung Energieeinsparung und Dekarbonisierung gerecht wird.
Die restlichen Investitionen in Höhe von 20 Milliarden Yen werden für Ausrüstungsverbesserungen, Umweltvorkehrungen und verwandte Betriebskosten eingesetzt. Über die Jahre hinweg hat Mitsubishi Electric umfangreiche Erfahrungen in der Produktion von SiC-Power-Semiconductor-Modulen für verschiedene Anwendungsbereiche gesammelt. Durch die Konsolidierung bestehender Betriebe und die Integration von Design, Entwicklung und Produktionstechnologie-Verifikation in einer neuen Fabrik wird das Unternehmen seine Entwicklungskapazitäten erweitern und eine zeitnahe Massenproduktion in Reaktion auf die Marktnachfrage erleichtern.
Die Investitionen in das Power-Semiconductor-Geschäft sind ein wichtiger Wachstumstreiber für Mitsubishi Electric, um eine nachhaltige Gesellschaft zu schaffen, indem Lösungen für gesellschaftliche Herausforderungen wie eine CO2-neutrale Gesellschaft gefördert werden. Das Unternehmen wird auch in Zukunft strategische Investitionen im Power-Semiconductor-Geschäft tätigen, um ein solides Geschäftswachstum zu erzielen.
Was sind SiC-Power-Semiconductor-Module?
SiC-Power-Semiconductor-Module sind Halbleiterbauteile, die aus Siliziumkarbid hergestellt werden. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Halbleitern weisen sie eine höhere elektrische Leitfähigkeit, eine höhere Schaltfrequenz und eine höhere Wärmeleitfähigkeit auf. Das macht sie besonders effizient in der Umwandlung und Steuerung von elektrischer Energie. SiC-Power-Semiconductor-Module finden Anwendung in verschiedenen Branchen wie beispielsweise der Automobilindustrie, der Industrietechnik oder auch der Haushaltstechnik. Mit ihrer Hilfe können Energieeinsparungen erzielt werden und somit tragen sie zu einer nachhaltigen Energieversorgung bei.
